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產品描述

等離子體增強化學氣相沉積法。

設備介紹：本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。

產品簡介：此款設備配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

主要組成系統(tǒng)及特點：

本設備主要由管式加熱爐體，真空系統(tǒng)，質子流量供氣系統(tǒng)，射頻等離子源，石英反應腔室等部件組成。

主要特點：

1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。

4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和無定型硅(a-Si:H)等。

開啟式真空管式爐技術參數
		石英管尺寸			L1400mm *（根據需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規(guī)格可選。）
		加熱元件			摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲
		測溫元件			K型熱電偶
		加熱區(qū)長度			400mm
		恒溫區(qū)長度			200mm
		工作溫度			≤1100℃
		控溫模式			模糊PID控制和自整定調節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶啟動緊急信號功能
		控溫精度			±1℃
		升溫速率			≤20℃/min
		電功率			AC220V/50HZ/3KW
質量供氣系統(tǒng)技術參數（根據需求選擇多路質子流量供氣系統(tǒng)。有兩路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供選擇。）
	外形尺寸				600x600x600mm
	標準量程				50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
	數顯壓力表測量范圍				-0.1Mpa～0.15Mpa
	較限壓力				3MPa
	針閥				316不銹鋼
	截止閥				Φ6mm 316不銹鋼針閥
	電功率				AC220V/50HZ/20W
	響應時間				氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
	準確度				±1.5%
	線性				±0.5～1.5%
	重復精度				±0.2%
	接口				Φ6,1/4
真空系統(tǒng)技術參數（根據需求選擇不同真空效果的真空系統(tǒng)。有DZK10-1（較限真空0.1Pa），GZK10-3（較限真空0.001Pa），以及進口高真空機組（較限真空0.0001Pa）供選擇。）
			外型尺寸	600×600×600mm
			工作電電壓	220V±10% 50~60HZ
			功率	400W
			抽氣速率	4L\s
			較限真空	4X10-2Pa
			實驗真空度	1.0X10-1Pa
			容油量	1.1L
			進氣口口徑	KF25
			排氣口口徑	KF25
			轉速	1450rpm
射頻電源（根據需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射頻電源供選擇）
			信號頻率	13.56 MHz±0.005%
			功率輸出范圍	5-300W 5W-500W可選
			非常大反射功率	200W
			射頻輸出接口	50 Ω, N-type, female
			功率穩(wěn)定度	±0.1%
			諧波分量	≤-50dbc
			供電電壓	單相交流（187V-253V）頻率50/60HZ
			整機效率	>=70%
			功率因素	>=90%
			冷卻方式	強制風冷